Peningkatan Gain Antena Mikrostrip Patch Rectangular dengan Metode Element Parasitic Pada Frekuensi 2.1 GHz

Penulis

DOI:

https://doi.org/10.35143/elementer.v6i2.4368

Abstrak

Perkembangan dunia telekomunikasi nirkabel cukup pesat, hal ini dikarenakan mobilitas orang yang semakin hari semakin cepat menuntut untuk bergerak dan bergerak selalu, serta ketergantungan terhadap media komunikasi cukup tinggi. Salah satu perangkat yang sangat berpengaruh dalam media nirkabel adalah antenna. Dimana pada paper ini akan membahas perancangan antena mikrostrip agar dapat meningkatkan gain menggunakan metode elemen parasitic dan teknik iterasi posisi slot dengan rectangular slot untuk meningkatkan nilai return loss pada antena. Untuk jenis substrat yang digunakan adalah FR-4 Epoxy dengan h = 1,6 mm   dan teknik pencatuan yang digunakan adalah microstrip line. Dari hasil penelitian diperoleh bahwa dengan cara menambahkan teknik parasitic pada antena mampu menghasilkan gain dua kali lebih besar dari keadaan tanpa elemen parasitic. Selain itu, saat keadaan ditambahkan teknik iterasi posisi slot mampu menghasilkan nilai return loss yang lebih baik dari keadaan optimasi patch. Sehingga didapatkan hasil paling optimal pada antena single band 2,1 GHz dengan return loss -13.20 dB VSWR 1.53 impedansi 50,44 Ω dan gain 4.79 dB.

Unduhan

Diterbitkan

2020-11-30

Cara Mengutip

Peningkatan Gain Antena Mikrostrip Patch Rectangular dengan Metode Element Parasitic Pada Frekuensi 2.1 GHz. (2020). Jurnal ELEMENTER (Elektro dan Mesin Terapan), 6(2), 62-69. https://doi.org/10.35143/elementer.v6i2.4368

Artikel paling banyak dibaca berdasarkan penulis yang sama